士兰明镓请求发光二极管外延结构及其制备办法专利，进步发光二极管的发光功率

  晶合集成请求半导体器材及其制作办法专利，可以缓解填充沟槽时的提早封口问题

  乾照光电(300102.SZ)：已把握 Micro-LED 从外延成长到芯片研制的全链条核心技术，具有规模化量产才能

  烁科晶磊获得用于分子束外延与气相堆积体系互联的环形静电吸盘专利，避免了因为晶圆在成长结束后带电而损坏有用区域

  鑫威源请求激光器外延结构及其制备办法专利，进步输出光斑质量与形式稳定性

  麦斯克电子资料请求敏捷康复二极管外延成长与边际应力操控专利，改进晶圆边际易发生滑移线与位错的问题

  聚灿光电三季报：营收下滑但净利增加 年产240万片红黄光外延片、芯片项目如期完结

  超芯星请求一种原位外延石墨烯-碳化硅复合散热资料专利，大大下降界面热阻

  天芯微请求一种半导体制作设备及半导体制作办法专利，进步外延层厚度的均匀性

  福然德：未来活跃发掘新式职业发展机会，经过出资并购等办法外延扩张布局新式产业

  又一MicroLED企业完结数亿元 Pre-A 轮融资，加快产线建造和批量交给落地

  国星半导体请求LED外延结构及其制备办法、LED专利，可进步LED外延结构的抗湿热功能

  RNR实验室请求外延成长办法及半导体器材制作办法专利，构成结晶化的外延半导体层

  华芯半导体请求一种多层VCSEL芯片的制备办法及体系专利，以补偿后的成长参数履行所述下一层的外延成长

  瀚天天成盘中涨超7% 一个首要世界客户已赞同增购6英寸及8英寸碳化硅外延晶片

  港股异动   瀚天天成(02726)盘中涨超5% 一个首要世界客户已赞同增购6英寸及8英寸碳化硅外延晶片

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  金瑞泓科技请求用于快康复二极管硅衬底及其外延片专利，完成扩铂工艺FRD器材统筹低反向漏电丢失功率和高正向压降一致性

  泉镓半导体请求Sn、Si共掺制备高电导率n型氧化镓同质外延层办法专利，完成高电导率n型β‑Ga2O3同质外延层的制备

  瀚天天成(02726)一个首要世界客户已赞同增购6英寸及8英寸碳化硅外延晶片

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